RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link