RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM3X2GSD1066 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link