RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2989
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link