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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2989
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KF552C40-16 16GB
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