Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 60
    En 53% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 6.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 4.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 60
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 6.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 4.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 1400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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