Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Note globale
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 60
    Autour de 53% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.7 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.5 left arrow 4.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 8500
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 60
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.7 left arrow 6.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.5 left arrow 4.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1988 left arrow 1400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons