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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2947
3705
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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