RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2706
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link