RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2706
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link