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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
16.2
写入速度,GB/s
12.0
10.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2706
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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