RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
104
Autour de -189% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2981
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link