RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2981
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link