RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3355
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link