RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3355
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link