RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
68
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3355
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link