Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 33
    Intorno -18% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.6 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 12.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 17.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.1 left arrow 15.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2947 left arrow 3705
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