Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Puntuación global
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Puntuación global
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
    En 1.25% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 33
    En -18% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.6 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.4 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.0 left arrow 17.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 15.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2947 left arrow 3705
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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