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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2107
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Inmos + 256MB
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