Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 31

En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.7 11.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.2 7.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 8500

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns