RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2585
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 D3-1066 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link