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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
55
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
55
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2653
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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