RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
44
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link