Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 44

En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 10.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 8.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2925 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns