RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link