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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
57
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2037
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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