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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
57
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
57
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2037
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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