RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3033
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link