RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3033
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link