RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2179
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link