RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2179
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link