RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3343
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link