RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2353
3465
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link