RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link