RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3938
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link