RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3938
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link