RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3938
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link