RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3938
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link