RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3638
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link