RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3638
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link