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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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