RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link