RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3063
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link