RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
92
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2229
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link