RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
92
Около -149% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2229
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link