RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
92
Rund um -149% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2229
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link