RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    33 left arrow 37
    Wokół strony 11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.8 left arrow 16.9
    Średnia wartość w badaniach
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.8 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    33 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.8 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 13.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3285 left arrow 3170

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Pamięć RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Pamięć RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Pamięć RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Pamięć RAM
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pamięć RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Pamięć RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Pamięć RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Pamięć RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Pamięć RAM