RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3170
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link