Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 37
    Intorno 11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.8 left arrow 16.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 12.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.8 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 13.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3285 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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