RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3170
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link