RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
37
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3170
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link