RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3170
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link