RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2179
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link