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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
AMD R334G1339U2S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
4.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R334G1339U2S 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En -21% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
35
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
4.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1726
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
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