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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
AMD R334G1339U2S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
4.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R334G1339U2S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
14.4
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
4.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
1726
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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